IXFN110N85X

IXYS Corporation

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

In Stock 2318 pcs

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部品型番	IXFN110N85X	メーカー	IXYS Corporation
説明	MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	2318 pcs	データシート	IXFN110N85X.pdf
同上@ VGS（TH）（最大）	5.5V @ 8mA	Vgs（最大）	±30V
技術	MOSFET (Metal Oxide)	サプライヤデバイスパッケージ	SOT-227B
シリーズ	HiPerFET™	同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	33 mOhm @ 55A, 10V
電力消費（最大）	1170W (Tc)	パッケージング	Tube
パッケージ/ケース	SOT-227-4, miniBLOC	運転温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ	Chassis Mount	メーカーの標準リードタイム	24 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant	入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	17000pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	425nC @ 10V	FETタイプ	N-Channel
FET特長	-	駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン	850V	詳細な説明	N-Channel 850V 110A (Tc) 1170W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	110A (Tc)

★注文金額が1,000米ドルを超える場合、DHL / FEDEX / UPSによる無料配送。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、変圧器、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

★配達時間は、DHL / UPS / FEDEX / TNTによる世界中のほとんどの国への2-4日を必要とします。

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