| 部品型番 | IXFP34N65X2M | メーカー | IXYS Corporation |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH | フリーステータス/ RoHS状態 | |
| 在庫あり | 15796 pcs | データシート | IXFP34N65X2M.pdf |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 1.5mA | Vgs(最大) | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 Isolated Tab |
| シリーズ | HiPerFET™ | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 100 mOhm @ 17A, 10V |
| 電力消費(最大) | 40W (Tc) | パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Through Hole |
| メーカーの標準リードタイム | 24 Weeks | 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3230pF @ 25V |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 56nC @ 10V | FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - | 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650V | 詳細な説明 | N-Channel 650V 34A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 34A (Tc) |
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