| 部品型番 | IXFP8N85XM | メーカー | IXYS Corporation |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH | フリーステータス/ RoHS状態 | |
| 在庫あり | 38340 pcs | データシート | IXFP8N85XM.pdf |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 5.5V @ 250µA | Vgs(最大) | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 Isolated Tab |
| シリーズ | HiPerFET™ | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 850 mOhm @ 4A, 10V |
| 電力消費(最大) | 33W (Tc) | パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Through Hole |
| 水分感受性レベル(MSL) | Not Applicable | メーカーの標準リードタイム | 24 Weeks |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 654pF @ 25V | ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 17nC @ 10V |
| FETタイプ | N-Channel | FET特長 | - |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | ソース電圧(VDSS)にドレイン | 850V |
| 詳細な説明 | N-Channel 850V 8A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 8A (Tc) |
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