| 部品型番 | IXFT58N20 | メーカー | IXYS Corporation |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 200V 58A TO-268 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 8550 pcs | データシート | IXFT58N20.pdf |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 4mA | Vgs(最大) | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | TO-268 |
| シリーズ | HiPerFET™ | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 40 mOhm @ 29A, 10V |
| 電力消費(最大) | 300W (Tc) | パッケージング | Tube |
| パッケージ/ケース | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム | 18 Weeks | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 4400pF @ 25V | ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 220nC @ 10V |
| FETタイプ | N-Channel | FET特長 | - |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | ソース電圧(VDSS)にドレイン | 200V |
| 詳細な説明 | N-Channel 200V 58A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268 | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 58A (Tc) |
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