IXYS Corporation
| 部品型番 | IXFT80N65X2HV | メーカー | IXYS Corporation |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH | フリーステータス/ RoHS状態 | |
| 在庫あり | 9224 pcs | データシート | IXFT80N65X2HV.pdf |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 4mA | Vgs(最大) | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | TO-268HV |
| シリーズ | HiPerFET™ | 電力消費(最大) | 890W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | メーカーの標準リードタイム | 24 Weeks |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 8300pF @ 25V | ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 140nC @ 10V |
| FETタイプ | N-Channel | FET特長 | - |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650V |
| 詳細な説明 | N-Channel 650V 80A (Tc) 890W (Tc) Surface Mount TO-268HV | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 80A (Tc) |
| フェデックス | www.FedEx.com | 35.00ドルからの基本送料は、ゾーンと国によって異なります。 |
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