IXYS Corporation
| 部品型番 | IXTF6N200P3 | メーカー | IXYS Corporation |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH | フリーステータス/ RoHS状態 | |
| 在庫あり | 4008 pcs | データシート | IXTF6N200P3.pdf |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 250µA | Vgs(最大) | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | ISOPLUS i4-PAC™ |
| シリーズ | Polar™ | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 4.2 Ohm @ 3A, 10V |
| 電力消費(最大) | 215W (Tc) | パッケージ/ケース | ISOPLUSi5-Pak™ |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Through Hole |
| メーカーの標準リードタイム | 24 Weeks | 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3700pF @ 25V |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 143nC @ 10V | FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - | 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | 2000V | 詳細な説明 | N-Channel 2000V 4A (Tc) 215W (Tc) Through Hole ISOPLUS i4-PAC™ |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4A (Tc) |
| フェデックス | www.FedEx.com | 35.00ドルからの基本送料は、ゾーンと国によって異なります。 |
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