| 部品型番 | IXTU01N100D | メーカー | IXYS Corporation |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 71626 pcs | データシート | IXTU01N100D.pdf |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 25µA | Vgs(最大) | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | TO-251 |
| シリーズ | - | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 80 Ohm @ 50mA, 0V |
| 電力消費(最大) | 1.1W (Ta), 25W (Tc) | パッケージング | Tube |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム | 14 Weeks | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 120pF @ 25V | FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | Depletion Mode | 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 0V |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | 1000V | 詳細な説明 | N-Channel 1000V 100mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-251 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 100mA (Tc) |
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