| 部品型番 | IXFX55N50F | メーカー | IXYS RF |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 4322 pcs | データシート | IXFX55N50F.pdf |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 5.5V @ 8mA | Vgs(最大) | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | PLUS247™-3 |
| シリーズ | HiPerRF™ | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 85 mOhm @ 27.5A, 10V |
| 電力消費(最大) | 560W (Tc) | パッケージング | Tube |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | 他の名前 | Q1649656 |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Through Hole |
| 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | メーカーの標準リードタイム | 14 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 6700pF @ 25V |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 195nC @ 10V | FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - | 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | 500V | 詳細な説明 | N-Channel 500V 55A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 55A (Tc) |
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