| 部品型番 | IRFS3607PBF | メーカー | Infineon Technologies |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 86100 pcs | データシート | IRFS3607PBF.pdf |
| 電圧 - テスト | 3070pF @ 50V | 電圧 - ブレークダウン | D2PAK |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 9 mOhm @ 46A, 10V | Vgs(最大) | 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | シリーズ | HEXFET® |
| RoHSステータス | Tube | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 80A (Tc) |
| 偏光 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 他の名前 | SP001557342 |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | 製造元の部品番号 | IRFS3607PBF |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 84nC @ 10V | IGBTタイプ | ±20V |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 4V @ 100µA | FET特長 | N-Channel |
| 拡張された説明 | N-Channel 75V 80A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D2PAK | ソース電圧(VDSS)にドレイン | - |
| 説明 | MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 75V |
| 静電容量比 | 140W (Tc) |
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