BSM120D12P2C005

LAPIS Semiconductor

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	BSM120D12P2C005
メーカー/ブランド:	LAPIS Semiconductor
製品の説明	MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
仕様書:	1.BSM120D12P2C005.pdf 2.BSM120D12P2C005.pdf 3.BSM120D12P2C005.pdf
RoHS ステータス	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況	297 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 297 pcs

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合計:$140.055

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部品型番	BSM120D12P2C005	メーカー	LAPIS Semiconductor
説明	MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	297 pcs	データシート	1.BSM120D12P2C005.pdf 2.BSM120D12P2C005.pdf 3.BSM120D12P2C005.pdf
同上@ VGS（TH）（最大）	2.7V @ 22mA	サプライヤデバイスパッケージ	Module
シリーズ	-	同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	-
電力 - 最大	780W	パッケージング	Bulk
パッケージ/ケース	Module	運転温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)	メーカーの標準リードタイム	32 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant	入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	14000pF @ 10V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	-	FETタイプ	2 N-Channel (Half Bridge)
FET特長	Silicon Carbide (SiC)	ソース電圧（VDSS）にドレイン	1200V (1.2kV)
詳細な説明	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 120A (Tc) 780W Module	電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	120A (Tc)

★注文金額が1,000米ドルを超える場合、DHL / FEDEX / UPSによる無料配送。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、変圧器、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

★配達時間は、DHL / UPS / FEDEX / TNTによる世界中のほとんどの国への2-4日を必要とします。

発送についてご質問がある場合は、お気軽にお問い合わせください。私達に電子メールを送り info@Ocean-Components.com

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製品を受け取った後に品質の問題を見つけた場合は、それらをテストし、証明できる場合は無条件の払い戻しを申請できます。
製品に欠陥がある場合、または機能しない場合は、1年以内に返品できます。商品の輸送および通関手数料はすべて当社が負担します。

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