BSM180D12P2C101

LAPIS Semiconductor

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	BSM180D12P2C101
メーカー/ブランド:	LAPIS Semiconductor
製品の説明	MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
仕様書:	1.BSM180D12P2C101.pdf 2.BSM180D12P2C101.pdf 3.BSM180D12P2C101.pdf
RoHS ステータス	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況	211 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 211 pcs

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合計:$153.093

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部品型番	BSM180D12P2C101	メーカー	LAPIS Semiconductor
説明	MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	211 pcs	データシート	1.BSM180D12P2C101.pdf 2.BSM180D12P2C101.pdf 3.BSM180D12P2C101.pdf
同上@ VGS（TH）（最大）	4V @ 35.2mA	サプライヤデバイスパッケージ	Module
シリーズ	-	同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	-
電力 - 最大	1130W	パッケージング	Bulk
パッケージ/ケース	Module	運転温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)	メーカーの標準リードタイム	32 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant	入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	23000pF @ 10V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	-	FETタイプ	2 N-Channel (Half Bridge)
FET特長	Silicon Carbide (SiC)	ソース電圧（VDSS）にドレイン	1200V (1.2kV)
詳細な説明	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 204A (Tc) 1130W Module	電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	204A (Tc)

★注文金額が1,000米ドルを超える場合、DHL / FEDEX / UPSによる無料配送。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、変圧器、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

★配達時間は、DHL / UPS / FEDEX / TNTによる世界中のほとんどの国への2-4日を必要とします。

発送についてご質問がある場合は、お気軽にお問い合わせください。私達に電子メールを送り info@Ocean-Components.com

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製品を受け取った後に品質の問題を見つけた場合は、それらをテストし、証明できる場合は無条件の払い戻しを申請できます。
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