| 部品型番 | QS8J2TR | メーカー | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 128802 pcs | データシート | 1.QS8J2TR.pdf2.QS8J2TR.pdf |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 1mA | サプライヤデバイスパッケージ | TSMT8 |
| シリーズ | - | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 36 mOhm @ 4A, 4.5V |
| 電力 - 最大 | 550mW | パッケージング | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead | 運転温度 | 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1940pF @ 6V |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 20nC @ 4.5V | FETタイプ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET特長 | Logic Level Gate, 1.5V Drive | ソース電圧(VDSS)にドレイン | 12V |
| 詳細な説明 | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4A 550mW Surface Mount TSMT8 | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4A |
| フェデックス | www.FedEx.com | 35.00ドルからの基本送料は、ゾーンと国によって異なります。 |
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