R6020ENZ1C9

Rohm Semiconductor

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

In Stock 44532 pcs

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部品型番	R6020ENZ1C9	メーカー	Rohm Semiconductor
説明	MOSFET N-CH 600V 20A TO247	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	44532 pcs	データシート	R6020ENZ1C9.pdf
電圧 - テスト	1400pF @ 25V	電圧 - ブレークダウン	TO-247
同上@ VGS（TH）（最大）	196 mOhm @ 9.5A, 10V	Vgs（最大）	10V
技術	MOSFET (Metal Oxide)	シリーズ	-
RoHSステータス	Tube	同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	20A (Tc)
偏光	TO-247-3	運転温度	150°C (TJ)
装着タイプ	Through Hole	水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム	17 Weeks	製造元の部品番号	R6020ENZ1C9
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	60nC @ 10V	IGBTタイプ	±20V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	4V @ 1mA	FET特長	N-Channel
拡張された説明	N-Channel 600V 20A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247	ソース電圧（VDSS）にドレイン	-
説明	MOSFET N-CH 600V 20A TO247	電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	600V
静電容量比	120W (Tc)

★注文金額が1,000米ドルを超える場合、DHL / FEDEX / UPSによる無料配送。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、変圧器、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

★配達時間は、DHL / UPS / FEDEX / TNTによる世界中のほとんどの国への2-4日を必要とします。

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