RGT8NS65DGTL

LAPIS Semiconductor

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

In Stock 127130 pcs

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部品型番	RGT8NS65DGTL	メーカー	LAPIS Semiconductor
説明	IGBT 650V 8A 65W TO-263S	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	127130 pcs	データシート	RGT8NS65DGTL.pdf
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）	650V	VGE、Icを@ VCE（上）（最大）	2.1V @ 15V, 4A
試験条件	400V, 4A, 50 Ohm, 15V	Td（オン/オフ）@ 25℃	17ns/69ns
エネルギーの切り替え	-	サプライヤデバイスパッケージ	LPDS (TO-263S)
シリーズ	-	逆回復時間（trrの）	40ns
電力 - 最大	65W	パッケージング	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	他の名前	RGT8NS65DGTLTR
運転温度	-40°C ~ 175°C (TJ)	装着タイプ	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)	メーカーの標準リードタイム	15 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant	入力タイプ	Standard
IGBTタイプ	Trench Field Stop	ゲートチャージ	13.5nC
詳細な説明	IGBT Trench Field Stop 650V 8A 65W Surface Mount LPDS (TO-263S)	電流 - コレクタパルス（ICM）	12A
電流 - コレクタ（Ic）（Max）	8A

★注文金額が1,000米ドルを超える場合、DHL / FEDEX / UPSによる無料配送。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、変圧器、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

★配達時間は、DHL / UPS / FEDEX / TNTによる世界中のほとんどの国への2-4日を必要とします。

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