| 部品型番 | RJP020N06T100 | メーカー | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 136366 pcs | データシート | 1.RJP020N06T100.pdf2.RJP020N06T100.pdf |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 1.5V @ 1mA | Vgs(最大) | ±12V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | MPT3 |
| シリーズ | - | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 240 mOhm @ 2A, 4.5V |
| 電力消費(最大) | 500mW (Ta) | パッケージング | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | TO-243AA | 他の名前 | RJP020N06T100TR |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 160pF @ 10V | ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 10nC @ 4V |
| FETタイプ | N-Channel | FET特長 | - |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 2.5V, 4.5V | ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60V |
| 詳細な説明 | N-Channel 60V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount MPT3 | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2A (Ta) |
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