| 部品型番 | RP1E100XNTR | メーカー | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 30V 10A MPT6 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 5728 pcs | データシート | RP1E100XNTR.pdf |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 1mA | Vgs(最大) | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | MPT6 |
| シリーズ | - | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 13 mOhm @ 10A, 10V |
| 電力消費(最大) | 2W (Ta) | パッケージング | Cut Tape (CT) |
| パッケージ/ケース | 6-SMD, Flat Leads | 他の名前 | RP1E100XNCT RP1E100XNTRCT RP1E100XNTRCT-ND |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 800pF @ 10V | ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 11nC @ 5V |
| FETタイプ | N-Channel | FET特長 | - |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4V, 10V | ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V |
| 詳細な説明 | N-Channel 30V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MPT6 | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 10A (Ta) |
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