| 部品型番 | RS1G180MNTB | メーカー | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 40V 18A 8HSOP | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 90169 pcs | データシート | 1.RS1G180MNTB.pdf2.RS1G180MNTB.pdf |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 1mA | Vgs(最大) | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | 8-HSOP |
| シリーズ | - | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 7 mOhm @ 18A, 10V |
| 電力消費(最大) | 3W (Ta), 30W (Tc) | パッケージング | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | 運転温度 | 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム | 40 Weeks | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1293pF @ 20V | ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 19.5nC @ 10V |
| FETタイプ | N-Channel | FET特長 | - |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | ソース電圧(VDSS)にドレイン | 40V |
| 詳細な説明 | N-Channel 40V 18A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-HSOP | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 18A (Ta), 80A (Tc) |
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