
| 部品型番 | CSD13302W | メーカー | N/A |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 12V 1.6A | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 361643 pcs | データシート | |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 1.3V @ 250µA | Vgs(最大) | ±10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | 4-DSBGA |
| シリーズ | NexFET™ | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 17.1 mOhm @ 1A, 4.5V |
| 電力消費(最大) | 1.8W (Ta) | パッケージング | Cut Tape (CT) |
| パッケージ/ケース | 4-UFBGA, DSBGA | 他の名前 | 296-48118-1 |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | メーカーの標準リードタイム | 35 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 862pF @ 6V |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 7.8nC @ 4.5V | FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - | 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 2.5V, 4.5V |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | 12V | 詳細な説明 | N-Channel 12V 1.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 1.6A (Ta) |
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