
| 部品型番 | CSD19506KTTT | メーカー | N/A |
|---|---|---|---|
| 説明 | IC MOSFET N-CH 80V TO-220 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 22561 pcs | データシート | |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 3.2V @ 250µA | Vgs(最大) | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | DDPAK/TO-263-3 |
| シリーズ | NexFET™ | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 2.3 mOhm @ 100A, 10V |
| 電力消費(最大) | 375W (Tc) | パッケージング | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA | 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | 水分感受性レベル(MSL) | 2 (1 Year) |
| メーカーの標準リードタイム | 35 Weeks | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 12200pF @ 40V | ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 156nC @ 10V |
| FETタイプ | N-Channel | FET特長 | - |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 6V, 10V | ソース電圧(VDSS)にドレイン | 80V |
| 詳細な説明 | N-Channel 80V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3 | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 200A (Ta) |
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