EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR

Micron Technology

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

In Stock 12229 pcs

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部品型番	EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR	メーカー	Micron Technology
説明	IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	12229 pcs	データシート	EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR.pdf
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ	-	電源電圧 -	1.14 V ~ 1.95 V
技術	SDRAM - Mobile LPDDR2	サプライヤデバイスパッケージ	134-VFBGA (10x11.5)
シリーズ	-	パッケージング	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース	134-VFBGA	他の名前	EDB1332BDBH-1DAAT-F-R EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR-ND EDB1332BDBH-1DAAT-F-R-ND EDB1332BDBH-1DAAT-F-RTR
運転温度	-40°C ~ 105°C (TC)	装着タイプ	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）	3 (168 Hours)	メモリタイプ	Volatile
記憶容量	1Gb (32M x 32)	メモリインタフェース	Parallel
メモリ形式	DRAM	鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant
詳細な説明	SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 1Gb (32M x 32) Parallel 533MHz 134-VFBGA (10x11.5)	クロック周波数	533MHz

★注文金額が1,000米ドルを超える場合、DHL / FEDEX / UPSによる無料配送。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、変圧器、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

★配達時間は、DHL / UPS / FEDEX / TNTによる世界中のほとんどの国への2-4日を必要とします。

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