| 部品型番 | 1N6625E3 | メーカー | Microsemi Corporation |
|---|---|---|---|
| 説明 | DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 6010 pcs | データシート | |
| 電圧 - ピーク逆(最大) | Standard | 電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1A |
| 電圧 - ブレークダウン | A, Axial | シリーズ | - |
| RoHSステータス | Bulk | 逆回復時間(trrの) | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| もし、F @抵抗 | - | 偏光 | A, Axial |
| 動作温度 - ジャンクション | 80ns | 装着タイプ | Through Hole |
| 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | 製造元の部品番号 | 1N6625E3 |
| 拡張された説明 | Diode Standard 1100V (1.1kV) 1A Through Hole A, Axial | ダイオード構成 | 1µA @ 1000V |
| 説明 | DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL | 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 1.95V @ 1.5A |
| 電流 - 平均整流(イオ)(ダイオード当たり) | 1100V (1.1kV) | Vrと、F @キャパシタンス | -65°C ~ 150°C |
| フェデックス | www.FedEx.com | 35.00ドルからの基本送料は、ゾーンと国によって異なります。 |
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| DHL | www.DHL.com | 35.00ドルからの基本送料は、ゾーンと国によって異なります。 |
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