2N2907AE4

Microsemi

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	2N2907AE4
メーカー/ブランド:	Microsemi
製品の説明	DIE TRANS PNP MED PWR GEN PURP T
仕様書:	2N2907AE4.pdf
RoHS ステータス	RoHS準拠
在庫状況	21051 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 21051 pcs

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部品型番	2N2907AE4	メーカー	Microsemi
説明	DIE TRANS PNP MED PWR GEN PURP T	フリーステータス/ RoHS状態	RoHS準拠
在庫あり	21051 pcs	データシート	2N2907AE4.pdf
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）	60V	IB、IC @ Vce飽和（最大）	1.6V @ 50mA, 500mA
トランジスタ型式	PNP	サプライヤデバイスパッケージ	TO-18
シリーズ	-	RoHSステータス	RoHS Compliant
電力 - 最大	500mW	パッケージ/ケース	TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
運転温度	-65°C ~ 200°C (TJ)	装着タイプ	Through Hole
周波数 - トランジション	-	詳細な説明	Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 600mA 500mW Through Hole TO-18
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）	100 @ 150mA, 10V	電流 - コレクタ遮断（最大）	10µA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max）	600mA

★注文金額が1,000米ドルを超える場合、DHL / FEDEX / UPSによる無料配送。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、変圧器、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

★配達時間は、DHL / UPS / FEDEX / TNTによる世界中のほとんどの国への2-4日を必要とします。

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