| 部品型番 | 2N6849 | メーカー | Microsemi |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET P-CH 100V TO-205AF TO-39 | フリーステータス/ RoHS状態 | リード/ RoHS非対応 |
| 在庫あり | 6016 pcs | データシート | 2N6849.pdf |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA | Vgs(最大) | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | TO-39 |
| シリーズ | - | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 320 mOhm @ 6.5A, 10V |
| 電力消費(最大) | 800mW (Ta), 25W (Tc) | パッケージング | Bulk |
| パッケージ/ケース | TO-205AF Metal Can | 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Contains lead / RoHS non-compliant | ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 34.8nC @ 10V |
| FETタイプ | P-Channel | FET特長 | - |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100V |
| 詳細な説明 | P-Channel 100V 6.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39 | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 6.5A (Tc) |
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