| 部品型番 | APT50GP60B2DQ2G | メーカー | Microsemi |
|---|---|---|---|
| 説明 | IGBT 600V 150A 625W TMAX | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 7712 pcs | データシート | APT50GP60B2DQ2G.pdf |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 600V | VGE、Icを@ VCE(上)(最大) | 2.7V @ 15V, 50A |
| 試験条件 | 400V, 50A, 4.3 Ohm, 15V | Td(オン/オフ)@ 25℃ | 19ns/85ns |
| エネルギーの切り替え | 465µJ (on), 635µJ (off) | シリーズ | POWER MOS 7® |
| 電力 - 最大 | 625W | パッケージング | Tube |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 Variant | 他の名前 | APT50GP60B2DQ2GMI APT50GP60B2DQ2GMI-ND |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Through Hole |
| 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力タイプ | Standard | IGBTタイプ | PT |
| ゲートチャージ | 165nC | 詳細な説明 | IGBT PT 600V 150A 625W Through Hole |
| 電流 - コレクタパルス(ICM) | 190A | 電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 150A |
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