| 部品型番 | APT65GP60B2G | メーカー | Microsemi |
|---|---|---|---|
| 説明 | IGBT 600V 100A 833W TMAX | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 7227 pcs | データシート | APT65GP60B2G.pdf |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 600V | VGE、Icを@ VCE(上)(最大) | 2.7V @ 15V, 65A |
| 試験条件 | 400V, 65A, 5 Ohm, 15V | Td(オン/オフ)@ 25℃ | 30ns/91ns |
| エネルギーの切り替え | 605µJ (on), 896µJ (off) | シリーズ | POWER MOS 7® |
| 電力 - 最大 | 833W | パッケージング | Tube |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 Variant | 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | 入力タイプ | Standard |
| IGBTタイプ | PT | ゲートチャージ | 210nC |
| 詳細な説明 | IGBT PT 600V 100A 833W Through Hole | 電流 - コレクタパルス(ICM) | 250A |
| 電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 100A |
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