APTM100H45FT3G

Microsemi

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

In Stock 1200 pcs

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合計:$31.896

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部品型番	APTM100H45FT3G	メーカー	Microsemi
説明	MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	1200 pcs	データシート	1.APTM100H45FT3G.pdf 2.APTM100H45FT3G.pdf
同上@ VGS（TH）（最大）	5V @ 2.5mA	サプライヤデバイスパッケージ	SP3
シリーズ	-	同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	540 mOhm @ 9A, 10V
電力 - 最大	357W	パッケージング	Bulk
パッケージ/ケース	SP3	運転温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ	Chassis Mount	水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム	32 Weeks	鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	4350pF @ 25V	ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	154nC @ 10V
FETタイプ	4 N-Channel (H-Bridge)	FET特長	Standard
ソース電圧（VDSS）にドレイン	1000V (1kV)	詳細な説明	Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 18A 357W Chassis Mount SP3
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	18A

★注文金額が1,000米ドルを超える場合、DHL / FEDEX / UPSによる無料配送。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、変圧器、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

★配達時間は、DHL / UPS / FEDEX / TNTによる世界中のほとんどの国への2-4日を必要とします。

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