| 部品型番 | APTM10TDUM19PG | メーカー | Microsemi |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 5245 pcs | データシート | APTM10TDUM19PG.pdf |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 1mA | サプライヤデバイスパッケージ | SP6-P |
| シリーズ | - | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 21 mOhm @ 35A, 10V |
| 電力 - 最大 | 208W | パッケージング | Bulk |
| パッケージ/ケース | SP6 | 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Chassis Mount | 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 5100pF @ 25V |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 200nC @ 10V | FETタイプ | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET特長 | Standard | ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100V |
| 詳細な説明 | Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 70A 208W Chassis Mount SP6-P | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 70A |
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