APTM120H140FT1G

Microsemi

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

In Stock 2117 pcs

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部品型番	APTM120H140FT1G	メーカー	Microsemi
説明	MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	2117 pcs	データシート	1.APTM120H140FT1G.pdf 2.APTM120H140FT1G.pdf
同上@ VGS（TH）（最大）	5V @ 1mA	サプライヤデバイスパッケージ	SP1
シリーズ	-	同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	1.68 Ohm @ 7A, 10V
電力 - 最大	208W	パッケージング	Bulk
パッケージ/ケース	SP1	運転温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ	Chassis Mount	水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム	32 Weeks	鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	3812pF @ 25V	ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	145nC @ 10V
FETタイプ	4 N-Channel (H-Bridge)	FET特長	Standard
ソース電圧（VDSS）にドレイン	1200V (1.2kV)	詳細な説明	Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1200V (1.2kV) 8A 208W Chassis Mount SP1
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	8A

★注文金額が1,000米ドルを超える場合、DHL / FEDEX / UPSによる無料配送。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、変圧器、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

★配達時間は、DHL / UPS / FEDEX / TNTによる世界中のほとんどの国への2-4日を必要とします。

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