JANSR2N7381

Microsemi

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

In Stock 5154 pcs

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部品型番	JANSR2N7381	メーカー	Microsemi
説明	N CHANNEL MOSFET TO-257 RAD	フリーステータス/ RoHS状態
在庫あり	5154 pcs	データシート	JANSR2N7381.pdf
同上@ VGS（TH）（最大）	4V @ 1mA	Vgs（最大）	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)	サプライヤデバイスパッケージ	TO-257
シリーズ	Military, MIL-PRF-19500/614	同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	490 mOhm @ 9.4A, 12V
電力消費（最大）	2W (Ta), 75W (Tc)	パッケージ/ケース	TO-257-3
運転温度	-55°C ~ 150°C (TJ)	装着タイプ	Through Hole
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	50nC @ 12V	FETタイプ	N-Channel
FET特長	-	駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	12V
ソース電圧（VDSS）にドレイン	200V	詳細な説明	N-Channel 200V 9.4A (Tc) 2W (Ta), 75W (Tc) Through Hole TO-257
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	9.4A (Tc)

★注文金額が1,000米ドルを超える場合、DHL / FEDEX / UPSによる無料配送。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、変圧器、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

★配達時間は、DHL / UPS / FEDEX / TNTによる世界中のほとんどの国への2-4日を必要とします。

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