SCT30N120

STMicroelectronics

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

In Stock 4484 pcs

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合計:$11.171

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部品型番	SCT30N120	メーカー	STMicroelectronics
説明	MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	4484 pcs	データシート	1.SCT30N120.pdf 2.SCT30N120.pdf 3.SCT30N120.pdf
同上@ VGS（TH）（最大）	2.6V @ 1mA (Typ)	Vgs（最大）	+25V, -10V
技術	SiCFET (Silicon Carbide)	サプライヤデバイスパッケージ	HiP247™
シリーズ	-	同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	100 mOhm @ 20A, 20V
電力消費（最大）	270W (Tc)	パッケージング	Tube
パッケージ/ケース	TO-247-3	他の名前	497-14960
運転温度	-55°C ~ 200°C (TJ)	装着タイプ	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)	鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	1700pF @ 400V	ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	105nC @ 20V
FETタイプ	N-Channel	FET特長	-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	20V	ソース電圧（VDSS）にドレイン	1200V
詳細な説明	N-Channel 1200V 40A (Tc) 270W (Tc) Through Hole HiP247™	電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	40A (Tc)

★注文金額が1,000米ドルを超える場合、DHL / FEDEX / UPSによる無料配送。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、変圧器、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

★配達時間は、DHL / UPS / FEDEX / TNTによる世界中のほとんどの国への2-4日を必要とします。

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