STB38N65M5

STMicroelectronics

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

In Stock 15508 pcs

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合計:$3.768

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部品型番	STB38N65M5	メーカー	STMicroelectronics
説明	MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	15508 pcs	データシート	STB38N65M5.pdf
同上@ VGS（TH）（最大）	5V @ 250µA	Vgs（最大）	±25V
技術	MOSFET (Metal Oxide)	サプライヤデバイスパッケージ	D2PAK
シリーズ	MDmesh™ V	同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	95 mOhm @ 15A, 10V
電力消費（最大）	190W (Tc)	パッケージング	Cut Tape (CT)
パッケージ/ケース	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	他の名前	497-13086-1
運転温度	150°C (TJ)	装着タイプ	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)	メーカーの標準リードタイム	42 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant	入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	3000pF @ 100V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	71nC @ 10V	FETタイプ	N-Channel
FET特長	-	駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン	650V	詳細な説明	N-Channel 650V 30A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	30A (Tc)

★注文金額が1,000米ドルを超える場合、DHL / FEDEX / UPSによる無料配送。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、変圧器、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

★配達時間は、DHL / UPS / FEDEX / TNTによる世界中のほとんどの国への2-4日を必要とします。

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