STI100N10F7

STMicroelectronics

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

In Stock 69798 pcs

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部品型番	STI100N10F7	メーカー	STMicroelectronics
説明	MOSFET	フリーステータス/ RoHS状態
在庫あり	69798 pcs	データシート	STI100N10F7.pdf
同上@ VGS（TH）（最大）	-	Vgs（最大）	-
技術	MOSFET (Metal Oxide)	サプライヤデバイスパッケージ	I2PAK (TO-262)
シリーズ	STripFET™	同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	-
電力消費（最大）	-	パッケージング	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	運転温度	-
装着タイプ	Through Hole	メーカーの標準リードタイム	38 Weeks
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	60nC @ 25V	FETタイプ	N-Channel
FET特長	-	駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	-
ソース電圧（VDSS）にドレイン	100V	詳細な説明	N-Channel 100V 80A Through Hole I2PAK (TO-262)
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	80A

★注文金額が1,000米ドルを超える場合、DHL / FEDEX / UPSによる無料配送。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、変圧器、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

★配達時間は、DHL / UPS / FEDEX / TNTによる世界中のほとんどの国への2-4日を必要とします。

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