| 部品型番 | TH58BYG2S3HBAI6 | メーカー | Toshiba Memory America, Inc. |
|---|---|---|---|
| 説明 | IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 21511 pcs | データシート | |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 25ns | 電源電圧 - | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 技術 | FLASH - NAND (SLC) | サプライヤデバイスパッケージ | 67-VFBGA (6.5x8) |
| シリーズ | Benand™ | パッケージング | Tray |
| パッケージ/ケース | 67-VFBGA | 他の名前 | TH58BYG2S3HBAI6JDH TH58BYG2S3HBAI6YCL |
| 運転温度 | -40°C ~ 85°C (TA) | 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル(MSL) | 3 (168 Hours) | メモリタイプ | Non-Volatile |
| 記憶容量 | 4Gb (512M x 8) | メモリインタフェース | Parallel |
| メモリ形式 | FLASH | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 詳細な説明 | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8) | アクセス時間 | 25ns |
| フェデックス | www.FedEx.com | 35.00ドルからの基本送料は、ゾーンと国によって異なります。 |
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| DHL | www.DHL.com | 35.00ドルからの基本送料は、ゾーンと国によって異なります。 |
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