| 部品型番 | TP65H050WS | メーカー | Transphorm |
|---|---|---|---|
| 説明 | 650 V 34 A CASCODE GAN FET | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 6974 pcs | データシート | TP65H050WS.pdf |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 4.8V @ 700µA | Vgs(最大) | ±20V |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) | サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 |
| シリーズ | - | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 60 mOhm @ 22A, 10V |
| 電力消費(最大) | 119W (Tc) | パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Through Hole |
| 水分感受性レベル(MSL) | 3 (168 Hours) | メーカーの標準リードタイム | 15 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1000pF @ 400V |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 24nC @ 10V | FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - | 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650V | 詳細な説明 | N-Channel 650V 34A (Tc) 119W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 34A (Tc) |
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