W947D2HBJX6E TR

Winbond Electronics Corporation

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	W947D2HBJX6E TR
メーカー/ブランド:	Winbond Electronics Corporation
製品の説明	IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
仕様書:	W947D2HBJX6E TR.pdf
RoHS ステータス	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況	33281 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 33281 pcs

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部品型番	W947D2HBJX6E TR	メーカー	Winbond Electronics Corporation
説明	IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	33281 pcs	データシート	W947D2HBJX6E TR.pdf
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ	15ns	電源電圧 -	1.7 V ~ 1.95 V
技術	SDRAM - Mobile LPDDR	サプライヤデバイスパッケージ	90-VFBGA (8x13)
シリーズ	-	パッケージング	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース	90-TFBGA	他の名前	W947D2HBJX6E TR-ND W947D2HBJX6ETR
運転温度	-25°C ~ 85°C (TC)	装着タイプ	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）	3 (168 Hours)	メモリタイプ	Volatile
記憶容量	128Mb (4M x 32)	メモリインタフェース	Parallel
メモリ形式	DRAM	鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant
詳細な説明	SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 166MHz 5ns 90-VFBGA (8x13)	クロック周波数	166MHz
アクセス時間	5ns

★注文金額が1,000米ドルを超える場合、DHL / FEDEX / UPSによる無料配送。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、変圧器、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

★配達時間は、DHL / UPS / FEDEX / TNTによる世界中のほとんどの国への2-4日を必要とします。

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