ダイオードブリッジ整流器
関連ブランド
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- - ビシェイの製品ポートフォリオは、ディスクリート半導体(ダイオード、MOSFET、オプトエレクトロニクス)と受動部品(抵抗、インダクタ、コンデンサ)の比類なき集積です。これらのコンポーネントは、産業、コンピューティング、自動車、消費者、電気通信、軍事、航空宇宙、および医療市場における事実上すべてのタイプの電子デバイスおよび機器に使用されています。ビシェイはOcean-Components.comの主要パートナーであることを誇りに思っています。
......ディテール
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2KBP08M/1
Electro-Films (EFI) / Vishay
説明:RECTIFIER BRIDGE 2A 800V KBPM
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VS-40MT160P-P
Electro-Films (EFI) / Vishay
説明:MOD BRIDGE 3PH 45A 1600V MTP
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GBPC2506W-E4/51
Electro-Films (EFI) / Vishay
説明:RECTIFIER BRIDGE 25A 600V GBPC-W
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BU1010-M3/51
Electro-Films (EFI) / Vishay
説明:RECTIFIER BRIDGE 1000V 10A BU
- Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
- Sangdest Microelectronic(Nanjing)Co.、Ltd(SMC)は、1997年に設立されました。SMCの製品(以前はSensitron Semiconductorのブランド名で販売されていました)は、LCDディスプレイ、通信機器、電源産業、および航空機産業において要求される信頼性および品質要件を有する。
SMCは国内外の市場で広く受け入れられている独自の製品を製造、設計しています。 SMCは、航空宇宙、通信、および家電製品のサプライヤーから厳しい資格基準を受けています。これらのサプライヤーは、例外的に要求の厳しいサプライヤー資格チームのために、優れた製......ディテール
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GBPC2502WTA
Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
説明:BRIDGE RECT 1P 200V 25A GBPC-W
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ABS4TR
Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
説明:BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A ABS
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GBU1002TB
Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
説明:BRIDGE RECT 1PHASE 200V 10A GBU
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GBPC3502WTA
Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
説明:BRIDGE RECT 1P 200V 35A GBPC-W
- Comchip Technology
- - Comchip Technology Corporationは、SMDディスクリート半導体の設計と製造をリードしています。革新的な研究と特許取得済みの製造能力により、ブリッジ整流器、高速効率整流器、スイッチングダイオード、ツェナーダイオード、ショットキーダイオード、TVS、ESDサージ保護器を提供しています。アプリケーションに適したダイオードがあります。 Comchip Technologyは、RoHS準拠のDFN /フラットチップパッケージを標準化した最初のメーカーで、金端子を使用することにより、Tin-Whiskerの可能性をゼロにしました。 DFNパッケージは、SOD-323F(......ディテール
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BR3510-G
Comchip Technology
説明:BRIDGE DIODE 35A 1000V BR
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GBJ2501-G
Comchip Technology
説明:RECTIFIER BRIDGE 25A 100V GBJ
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KBPC1508W-G
Comchip Technology
説明:RECTIFIER BRIDGE 15A 800V KBPCW
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DB105S-G
Comchip Technology
説明:BRIDGE RECT 1A 600V DBS
- Diodes Incorporated
- - Diodes Incorporatedは、幅広いディスクリート、ロジック、アナログ、ミックスド・シグナルの半導体市場において、高品質の特定用途向け標準製品を提供する大手グローバル・メーカーです。 2015年11月、Pericom SemiconductorはDiodes Incorporatedの一員になり、シリアル高速スイッチング、シグナル・インテグリティ、接続性、タイミング・ソリューションでポートフォリオを強化しました。
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KBP06G
Diodes Incorporated
説明:RECT BRIDGE GPP 600V 1.5A KBP
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RS605
Diodes Incorporated
説明:RECT SILICON 600V 6A RADIAL LEAD
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SDM1L30BLP-13
Diodes Incorporated
説明:DIODE SCHOTTKY W-DFN5060-4
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MB354W
Diodes Incorporated
説明:RECTIFIER BRIDGE 35A 400V MB-35
- IXYS Corporation
- - IXYS社は、低オン抵抗パワーMOSFET、超高速スイッチングIGBT、高速リカバリダイオード(FRED)、SCRおよびダイオードモジュール、整流器ブリッジ、パワーインターフェイスICなど、幅広いハイパワー半導体製品を提供しています。
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VBO13-12AO2
IXYS Corporation
説明:DIODE BRIDGE 18A 1200V 1PH FO-A
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VUB72-16NO1
IXYS Corporation
説明:RECT BRIDGE 3PH 1600V V1-A
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VUO18-14DT8
IXYS Corporation
説明:RECT BRIDGE 18A 1400V FO-B
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VBO54-14NO7
IXYS Corporation
説明:DIODE BRIDGE 1400V 54A ECO-PAC1
- GeneSiC Semiconductor
- GeneSiCは、シリコンカーバイド技術のパイオニアであり世界的リーダーであり、高性能シリコン技術にも投資しています。産業および防衛システムの世界的大手メーカーは、製品の性能と効率を高めるためにGeneSiCの技術に依存しています。
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KBJ408G
GeneSiC Semiconductor
説明:DIODE BRIDGE 800V 4A KBJ
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KBJ2508G
GeneSiC Semiconductor
説明:DIODE BRIDGE 800V 25A KBJ
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KBU8A
GeneSiC Semiconductor
説明:DIODE BRIDGE 50V 8A KBU