ダイオードブリッジ整流器
関連ブランド
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- - ビシェイの製品ポートフォリオは、ディスクリート半導体(ダイオード、MOSFET、オプトエレクトロニクス)と受動部品(抵抗、インダクタ、コンデンサ)の比類なき集積です。これらのコンポーネントは、産業、コンピューティング、自動車、消費者、電気通信、軍事、航空宇宙、および医療市場における事実上すべてのタイプの電子デバイスおよび機器に使用されています。ビシェイはOcean-Components.comの主要パートナーであることを誇りに思っています。
......ディテール
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KBU4A-E4/51
Electro-Films (EFI) / Vishay
説明:DIODE 4A 50V KBU
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BU25105S-M3/45
Electro-Films (EFI) / Vishay
説明:RECTIFIER BRIDGE 25A 1000V BU-5S
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KBU6D-E4/51
Electro-Films (EFI) / Vishay
説明:RECTIFIER BRIDGE 6A 200V KBU
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93MT120KB
Electro-Films (EFI) / Vishay
説明:RECT BRIDGE 1200V 90A MTK
- IXYS Corporation
- - IXYS社は、低オン抵抗パワーMOSFET、超高速スイッチングIGBT、高速リカバリダイオード(FRED)、SCRおよびダイオードモジュール、整流器ブリッジ、パワーインターフェイスICなど、幅広いハイパワー半導体製品を提供しています。
......ディテール
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VUO100-14NO7
IXYS Corporation
説明:RECT BRIDGE 100A 1400V FO-T-A
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VUO18-16DT8
IXYS Corporation
説明:RECT BRIDGE 18A 1600V FO-B
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VUO30-12NO3
IXYS Corporation
説明:RECT BRIDGE 3PH 37A 1200V FO-F-B
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VBO72-12NO7
IXYS Corporation
説明:DIODE BRIDGE 1200V 72A PWS-D
- TSC (Taiwan Semiconductor)
- - ディスクリートパワーレクティファイアーのコアコンピタンスで37年以上にわたり認知されてきたTaiwan Semiconductorは、トレンチショットキ、アナログIC、LEDドライバIC、パワートランジスタ、MOSFETを含む製品ポートフォリオを拡大し、現在では1つのソースから完全なソリューションを提供しています。台湾の半導体製品は、自動車、コンピューター、民生用、産業用、電気通信および太陽光発電などのエレクトロニクス業界で幅広く使用されています。
革新的な製造能力の戦略的拡大と効率的な半導体ソリューションの先駆けに焦点を当てて、台湾半導体は、成功し続けるビジネス関係......ディテール
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TS6P03G D2G
TSC (Taiwan Semiconductor)
説明:BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A TS-6P
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GBU404HD2G
TSC (Taiwan Semiconductor)
説明:BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A GBU
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TS25P07G C2G
TSC (Taiwan Semiconductor)
説明:BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A TS-6P
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ABS4 RGG
TSC (Taiwan Semiconductor)
説明:BRIDGE RECT 1P 400V 800MA ABS
- Comchip Technology
- - Comchip Technology Corporationは、SMDディスクリート半導体の設計と製造をリードしています。革新的な研究と特許取得済みの製造能力により、ブリッジ整流器、高速効率整流器、スイッチングダイオード、ツェナーダイオード、ショットキーダイオード、TVS、ESDサージ保護器を提供しています。アプリケーションに適したダイオードがあります。 Comchip Technologyは、RoHS準拠のDFN /フラットチップパッケージを標準化した最初のメーカーで、金端子を使用することにより、Tin-Whiskerの可能性をゼロにしました。 DFNパッケージは、SOD-323F(......ディテール
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GBPC1508W-G
Comchip Technology
説明:RECTIFIER BRIDGE 15A 800V GBPCW
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GBU2501-G
Comchip Technology
説明:RECTIFIER BRIDGE 25A 100V GBU
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DF204ST-G
Comchip Technology
説明:RECT BRIDGE GPP 400V 2A DFS
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GBU810-G
Comchip Technology
説明:RECTIFIER BRIDGE 8A 1000V GBU
- Diodes Incorporated
- - Diodes Incorporatedは、幅広いディスクリート、ロジック、アナログ、ミックスド・シグナルの半導体市場において、高品質の特定用途向け標準製品を提供する大手グローバル・メーカーです。 2015年11月、Pericom SemiconductorはDiodes Incorporatedの一員になり、シリアル高速スイッチング、シグナル・インテグリティ、接続性、タイミング・ソリューションでポートフォリオを強化しました。
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GBJ1006
Diodes Incorporated
説明:RECT BRIDGE GPP 600V 10A GBJ
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GBJ1001-F
Diodes Incorporated
説明:RECT BRIDGE GPP 10A 100V GBJ
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GBJ20005
Diodes Incorporated
説明:RECT BRIDGE GPP 50V 20A GBJ
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GBJ2502-F
Diodes Incorporated
説明:RECT BRIDGE GPP 25A 200V GBJ
- GeneSiC Semiconductor
- GeneSiCは、シリコンカーバイド技術のパイオニアであり世界的リーダーであり、高性能シリコン技術にも投資しています。産業および防衛システムの世界的大手メーカーは、製品の性能と効率を高めるためにGeneSiCの技術に依存しています。
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KBPC3506W
GeneSiC Semiconductor
説明:DIODE BRIDGE 600V 35A KBPC-W
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KBPM310G
GeneSiC Semiconductor
説明:DIODE BRIDGE 1000V 3A KBPM
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DB151G
GeneSiC Semiconductor
説明:DIODE BRIDGE 50V 1.5A DB
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BR88
GeneSiC Semiconductor
説明:DIODE BRIDGE 800V 8A BR-8