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IXYS Corporation: - IXYS社は、低オン抵抗パワーMOSFET、超高速スイッチングIGBT、高速リカバリダイオード（FRED）、SCRおよびダイオードモジュール、整流器ブリッジ、パワーインターフェイスICなど、幅広いハイパワー半導体製品を提供しています。
......ディテール

IXXK160N65C4 IXYS Corporation 説明:IGBT 650V 290A 940W TO264
IXGP12N120A2 IXYS Corporation 説明:IGBT 1200V 24A 75W TO220
IXBK75N170A IXYS Corporation 説明:IGBT 1700V 110A 1040W TO264
IXGH15N120CD1 IXYS Corporation 説明:IGBT 1200V 30A 150W TO247

AMI Semiconductor / ON Semiconductor: - オン・セミコンダクター（ナスダック：ON）は、エネルギー効率の高い革新を推進し、お客様がグローバルなエネルギー使用を削減できるようにします。自動車、通信、コンピューティング、コンシューマ、産業、LED照明、医療、軍事/航空宇宙および電力分野における独自の設計上の課題を解決するための包括的なエネルギー効率の高い電力/信号管理、ロジック、ディスクリートおよびカスタムソリューションのポートフォリオを提供しています供給アプリケーション。オン・セミコンダクターは、北米、欧州、アジア太平洋地域の主要市場に対応し、信頼性が高く、ワールドクラスのサプライチェーン・品質プログラム、製造施設、営業所、設計セ......ディテール

FGPF45N45TTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor 説明:IGBT 450V 51.6W TO220F
FGH40N60SMDF-F085 AMI Semiconductor / ON Semiconductor 説明:IGBT 600V 80A 349W TO247
NGTB15N60EG AMI Semiconductor / ON Semiconductor 説明:IGBT 600V 30A 117W TO220-3
HGT1S10N120BNST AMI Semiconductor / ON Semiconductor 説明:IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

International Rectifier (Infineon Technologies): 1999年4月1日、シーメンス半導体はインフィニオンテクノロジーズになりました。マイクロエレクトロニクスの競争が激しく変化し続ける世界での成功に向けて、ダイナミックでフレキシブルな会社。
インフィニオンは、さまざまなマイクロエレクトロニクスアプリケーションに使用される幅広い半導体の世界的な設計、製造、サプライヤーとして世界をリードしています。インフィニオンの製品ポートフォリオは、デジタル、ミックスド・シグナル、アナログ集積回路、ディスクリート半導体製品などのロジック製品で構成されています。......ディテール

IRG4BC10SD-L International Rectifier (Infineon Technologies) 説明:IGBT 600V 14A 38W TO262
IHW15N120R3FKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) 説明:IGBT 1200V 30A 254W TO247-3
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IKW40N65F5FKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) 説明:IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3

STMicroelectronics: - STマイクロエレクトロニクスは、世界的に独立した半導体企業であり、マイクロエレクトロニクス・アプリケーションのさまざまな分野で半導体ソリューションを開発および提供するリーダーです。シリコンとシステムの専門知識、製造力、知的財産（IP）ポートフォリオ、戦略的パートナーの比類なき組み合わせにより、当社はシステムオンチップ（SoC）技術の最前線に位置し、今日のコンバージェンストレンドを可能にする重要な役割を果たします。
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STGF7H60DF STMicroelectronics 説明:IGBT 600V 14A 24W TO-220FP
STGWT30V60F STMicroelectronics 説明:IGBT 600V 60A 260W TO3PF
STGD10HF60KD STMicroelectronics 説明:IGBT 600V 10A DPAK
STGW50HF60SD STMicroelectronics 説明:IGBT 600V 110A 284W TO247

LAPIS Semiconductor: ・ロームは1958年に京都市に設立されました。半導体、集積回路などの電子部品の設計・製造を行っています。これらのコンポーネントは、ダイナミックで益々成長しているワイヤレス、コンピュータ、自動車、およびコンシューマエレクトロニクス市場における家を見いだしています。最も革新的な機器や機器の中には、ローム製品を使用するものがあります。
北米市場でのロームのプレゼンスは、カリフォルニア州サンノゼのサンディエゴにある物流本部、ミシガン州ノービのQAセンター、メキシコグアダラハラに営業所を構え、販売網を拡大していますマーケティング、セールス、エンジニアリングサポートを提供しています。直接販売員に......ディテール

RGT8NS65DGTL LAPIS Semiconductor 説明:IGBT 650V 8A 65W TO-263S
RGTV60TS65DGC11 LAPIS Semiconductor 説明:650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
RGTV00TS65DGC11 LAPIS Semiconductor 説明:650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

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