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International Rectifier (Infineon Technologies): 1999年4月1日、シーメンス半導体はインフィニオンテクノロジーズになりました。マイクロエレクトロニクスの競争が激しく変化し続ける世界での成功に向けて、ダイナミックでフレキシブルな会社。
インフィニオンは、さまざまなマイクロエレクトロニクスアプリケーションに使用される幅広い半導体の世界的な設計、製造、サプライヤーとして世界をリードしています。インフィニオンの製品ポートフォリオは、デジタル、ミックスド・シグナル、アナログ集積回路、ディスクリート半導体製品などのロジック製品で構成されています。......ディテール

IRG8P45N65UD1PBF International Rectifier (Infineon Technologies) 説明:G8 650V 45A CO-PAK-247
IRG4PC30UDPBF International Rectifier (Infineon Technologies) 説明:IGBT 600V 23A 100W TO247AC
IKA10N65ET6XKSA2 International Rectifier (Infineon Technologies) 説明:IGBT 650V 15A TO220-3
IRG8P40N120KD-EPBF International Rectifier (Infineon Technologies) 説明:IGBT 1200V 60A 305W TO-247AD

AMI Semiconductor / ON Semiconductor: - オン・セミコンダクター（ナスダック：ON）は、エネルギー効率の高い革新を推進し、お客様がグローバルなエネルギー使用を削減できるようにします。自動車、通信、コンピューティング、コンシューマ、産業、LED照明、医療、軍事/航空宇宙および電力分野における独自の設計上の課題を解決するための包括的なエネルギー効率の高い電力/信号管理、ロジック、ディスクリートおよびカスタムソリューションのポートフォリオを提供しています供給アプリケーション。オン・セミコンダクターは、北米、欧州、アジア太平洋地域の主要市場に対応し、信頼性が高く、ワールドクラスのサプライチェーン・品質プログラム、製造施設、営業所、設計セ......ディテール

NGP15N41CL AMI Semiconductor / ON Semiconductor 説明:IGBT 440V 15A 107W TO220AB
FGB20N6S2D AMI Semiconductor / ON Semiconductor 説明:IGBT 600V 28A 125W TO263AB
ISL9V3036D3S AMI Semiconductor / ON Semiconductor 説明:IGBT 360V 21A 150W TO252AA
NGTB30N120L2WG AMI Semiconductor / ON Semiconductor 説明:IGBT 1200V 60A 534W TO247

IXYS Corporation: - IXYS社は、低オン抵抗パワーMOSFET、超高速スイッチングIGBT、高速リカバリダイオード（FRED）、SCRおよびダイオードモジュール、整流器ブリッジ、パワーインターフェイスICなど、幅広いハイパワー半導体製品を提供しています。
......ディテール

IXGP28N120B IXYS Corporation 説明:IGBT 1200V 50A 250W TO220
IXXH150N60C3 IXYS Corporation 説明:IGBT 600V TO247
IXGK120N60B IXYS Corporation 説明:IGBT 600V 200A 660W TO264AA
IXGQ170N30PB IXYS Corporation 説明:IGBT 300V 170A 330W TO3P

Microsemi: - Microsemi Corporation（ナスダック：MSCC）は、航空宇宙/防衛、通信、データセンター、産業市場向けの包括的な半導体/システムソリューションを提供しています。製品には、高性能で放射線硬化されたアナログ混在信号集積回路、FPGA、SoC、ASICなどがあります。電力管理製品;タイミングと同期デバイスと正確な時間ソリューションを提供し、世界の時間基準を設定します。音声処理装置; RFソリューションディスクリート部品;エンタープライズストレージおよび通信ソリューション、セキュリティテクノロジ、スケーラブルな不正侵入防止製品、イーサネットソリューション。パワー・オーバー......ディテール

APT50GP60B2DQ2G Microsemi 説明:IGBT 600V 150A 625W TMAX
APT33GF120B2RDQ2G Microsemi 説明:IGBT 1200V 64A 357W TMAX
APT50GN120B2G Microsemi 説明:IGBT 1200V 134A 543W TO-247
APT70GR65B2SCD30 Microsemi 説明:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

STMicroelectronics: - STマイクロエレクトロニクスは、世界的に独立した半導体企業であり、マイクロエレクトロニクス・アプリケーションのさまざまな分野で半導体ソリューションを開発および提供するリーダーです。シリコンとシステムの専門知識、製造力、知的財産（IP）ポートフォリオ、戦略的パートナーの比類なき組み合わせにより、当社はシステムオンチップ（SoC）技術の最前線に位置し、今日のコンバージェンストレンドを可能にする重要な役割を果たします。
......ディテール

STGWT20V60DF STMicroelectronics 説明:IGBT 600V 40A 167W TO3P-3
STGD5NB120SZ-1 STMicroelectronics 説明:IGBT 1200V 10A 75W IPAK
STGWT30V60DF STMicroelectronics 説明:IGBT 600V 60A 258W TO3P-3
STGD10NC60HDT4 STMicroelectronics 説明:IGBT 600V 20A 62W D2PAK

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: APT25GR120B; メーカー: Microsemi; 説明: IGBT 1200V 75A 521W TO247; 在庫あり: 22419 pcs; ダウンロードセンター: APT25GR120B.pdf; RFQ

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