MJ11028G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	MJ11028G
メーカー/ブランド:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
製品の説明	TRANS NPN DARL 60V 50A TO3
仕様書:	MJ11028G.pdf
RoHS ステータス	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況	14334 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 14334 pcs

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部品型番	MJ11028G	メーカー	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明	TRANS NPN DARL 60V 50A TO3	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	14334 pcs	データシート	MJ11028G.pdf
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）	60V	IB、IC @ Vce飽和（最大）	3.5V @ 500mA, 50A
トランジスタ型式	NPN - Darlington	サプライヤデバイスパッケージ	TO-3
シリーズ	-	電力 - 最大	300W
パッケージング	Tray	パッケージ/ケース	TO-204AE
他の名前	MJ11028GOS MJ11028GOS-ND MJ11028GOS-NDOS MJ11028GOSOS	運転温度	-55°C ~ 200°C (TJ)
装着タイプ	Through Hole	水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム	30 Weeks	鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant
周波数 - トランジション	-	詳細な説明	Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 50A 300W Through Hole TO-3
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）	1000 @ 25A, 5V	電流 - コレクタ遮断（最大）	2mA
電流 - コレクタ（Ic）（Max）	50A

★注文金額が1,000米ドルを超える場合、DHL / FEDEX / UPSによる無料配送。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、変圧器、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

★配達時間は、DHL / UPS / FEDEX / TNTによる世界中のほとんどの国への2-4日を必要とします。

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