| 部品型番 | MJ11033G | メーカー | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 説明 | TRANS PNP DARL 120V 50A TO3 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 14686 pcs | データシート | MJ11033G.pdf |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 120V | IB、IC @ Vce飽和(最大) | 3.5V @ 500mA, 50A |
| トランジスタ型式 | PNP - Darlington | サプライヤデバイスパッケージ | TO-3 |
| シリーズ | - | 電力 - 最大 | 300W |
| パッケージング | Tray | パッケージ/ケース | TO-204AE |
| 他の名前 | MJ11033GOS | 運転温度 | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム | 7 Weeks | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 周波数 - トランジション | - | 詳細な説明 | Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 120V 50A 300W Through Hole TO-3 |
| Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 1000 @ 25A, 5V | 電流 - コレクタ遮断(最大) | 2mA |
| 電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 50A |
| フェデックス | www.FedEx.com | 35.00ドルからの基本送料は、ゾーンと国によって異なります。 |
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