NVMFS4C302NT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	NVMFS4C302NT1G
メーカー/ブランド:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
製品の説明	NFET SO8FL 30V 1.15MO
仕様書:	NVMFS4C302NT1G.pdf
在庫状況	72884 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 72884 pcs

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部品型番	NVMFS4C302NT1G	メーカー	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明	NFET SO8FL 30V 1.15MO	フリーステータス/ RoHS状態
在庫あり	72884 pcs	データシート	NVMFS4C302NT1G.pdf
同上@ VGS（TH）（最大）	2.2V @ 250µA	Vgs（最大）	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)	サプライヤデバイスパッケージ	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
シリーズ	Automotive, AEC-Q101	同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	1.15 mOhm @ 30A, 10V
電力消費（最大）	3.75W (Ta), 115W (Tc)	パッケージ/ケース	8-PowerTDFN, 5 Leads
運転温度	-55°C ~ 175°C (TJ)	装着タイプ	Surface Mount
メーカーの標準リードタイム	42 Weeks	鉛フリーステータス	Lead free
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	5780pF @ 15V	ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	82nC @ 10V
FETタイプ	N-Channel	FET特長	-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	4.5V, 10V	ソース電圧（VDSS）にドレイン	30V
詳細な説明	N-Channel 30V 43A (Ta), 241A (Tc) 3.75W (Ta), 115W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)	電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	43A (Ta), 241A (Tc)

★注文金額が1,000米ドルを超える場合、DHL / FEDEX / UPSによる無料配送。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、変圧器、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

★配達時間は、DHL / UPS / FEDEX / TNTによる世界中のほとんどの国への2-4日を必要とします。

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