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AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| 部品型番 | NVMFS5113PLT1G | メーカー | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET P-CH 60V 64A SO8FL | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 78885 pcs | データシート | NVMFS5113PLT1G.pdf |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| シリーズ | - | 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 14 mOhm @ 17A, 10V |
| 電力消費（最大） | 3.8W (Ta), 150W (Tc) | パッケージング | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | 他の名前 | NVMFS5113PLT1G-ND NVMFS5113PLT1GOSTR |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | メーカーの標準リードタイム | 50 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4400pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 83nC @ 10V | FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - | 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60V | 詳細な説明 | P-Channel 60V 10A (Ta), 64A (Tc) 3.8W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10A (Ta), 64A (Tc) |
| フェデックス | www.FedEx.com | 35.00ドルからの基本送料は、ゾーンと国によって異なります。 |
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| DHL | www.DHL.com | 35.00ドルからの基本送料は、ゾーンと国によって異なります。 |
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| TNT | www.TNT.com | 35.00ドルからの基本送料は、ゾーンと国によって異なります。 |
