HTNFET-D

Honeywell Microelectronics & Precision Sensors

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	HTNFET-D
メーカー/ブランド:	Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
製品の説明	MOSFET N-CH 55V 8-DIP
仕様書:	HTNFET-D.pdf
RoHS ステータス	リード/ RoHS非対応
在庫状況	195 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 195 pcs

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合計:$164.625

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部品型番	HTNFET-D	メーカー	Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
説明	MOSFET N-CH 55V 8-DIP	フリーステータス/ RoHS状態	リード/ RoHS非対応
在庫あり	195 pcs	データシート	HTNFET-D.pdf
同上@ VGS（TH）（最大）	2.4V @ 100µA	Vgs（最大）	10V
技術	MOSFET (Metal Oxide)	サプライヤデバイスパッケージ	8-CDIP-EP
シリーズ	HTMOS™	同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	400 mOhm @ 100mA, 5V
電力消費（最大）	50W (Tj)	パッケージング	Tube
パッケージ/ケース	8-CDIP Exposed Pad	他の名前	342-1078
運転温度	-55°C ~ 225°C (TJ)	装着タイプ	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)	メーカーの標準リードタイム	8 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Contains lead / RoHS non-compliant	入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	290pF @ 28V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	4.3nC @ 5V	FETタイプ	N-Channel
FET特長	-	駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン	55V	詳細な説明	N-Channel 55V 50W (Tj) Through Hole 8-CDIP-EP
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	-

★注文金額が1,000米ドルを超える場合、DHL / FEDEX / UPSによる無料配送。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、変圧器、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

★配達時間は、DHL / UPS / FEDEX / TNTによる世界中のほとんどの国への2-4日を必要とします。

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