HTNFET-DC

Honeywell Microelectronics & Precision Sensors

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	HTNFET-DC
メーカー/ブランド:	Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
製品の説明	MOSFET N-CH 55V 8-DIP
仕様書:	HTNFET-DC.pdf
RoHS ステータス	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況	211 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 211 pcs

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部品型番	HTNFET-DC	メーカー	Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
説明	MOSFET N-CH 55V 8-DIP	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	211 pcs	データシート	HTNFET-DC.pdf
同上@ VGS（TH）（最大）	2.4V @ 100µA	Vgs（最大）	10V
技術	MOSFET (Metal Oxide)	サプライヤデバイスパッケージ	-
シリーズ	HTMOS™	同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	400 mOhm @ 100mA, 5V
電力消費（最大）	50W (Tj)	パッケージング	Tube
パッケージ/ケース	8-CDIP Exposed Pad	運転温度	-
装着タイプ	Through Hole	水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム	8 Weeks	鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	290pF @ 28V	ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	4.3nC @ 5V
FETタイプ	N-Channel	FET特長	-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	5V	ソース電圧（VDSS）にドレイン	55V
詳細な説明	N-Channel 55V 50W (Tj) Through Hole	電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	-

★注文金額が1,000米ドルを超える場合、DHL / FEDEX / UPSによる無料配送。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、変圧器、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

★配達時間は、DHL / UPS / FEDEX / TNTによる世界中のほとんどの国への2-4日を必要とします。

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