| 部品型番 | IXFN200N10P | メーカー | IXYS |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 4946 pcs | データシート | IXFN200N10P.pdf |
| 電圧 - テスト | 7600pF @ 25V | 電圧 - ブレークダウン | SOT-227B |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 7.5 mOhm @ 500mA, 10V | 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ | Polar™ | RoHSステータス | Tube |
| 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 200A | 偏光 | SOT-227-4, miniBLOC |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 装着タイプ | Chassis Mount |
| 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | メーカーの標準リードタイム | 8 Weeks |
| 製造元の部品番号 | IXFN200N10P | 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 235nC @ 10V |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 5V @ 8mA | FET特長 | N-Channel |
| 拡張された説明 | N-Channel 100V 200A 680W (Tc) Chassis Mount SOT-227B | ソース電圧(VDSS)にドレイン | - |
| 説明 | MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 100V |
| 静電容量比 | 680W (Tc) |
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