IXFT150N17T2

IXYS Corporation

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

In Stock 12509 pcs

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部品型番	IXFT150N17T2	メーカー	IXYS Corporation
説明	MOSFET N-CH	フリーステータス/ RoHS状態
在庫あり	12509 pcs	データシート	IXFT150N17T2.pdf
同上@ VGS（TH）（最大）	4.5V @ 1mA	Vgs（最大）	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)	サプライヤデバイスパッケージ	TO-268
シリーズ	HiPerFET™, TrenchT2™	同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	12 mOhm @ 75A, 10V
電力消費（最大）	880W (Tc)	パッケージ/ケース	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
運転温度	-55°C ~ 175°C (TJ)	装着タイプ	Surface Mount
メーカーの標準リードタイム	24 Weeks	入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	14600pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	233nC @ 10V	FETタイプ	N-Channel
FET特長	-	駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン	175V	詳細な説明	N-Channel 175V 150A (Tc) 880W (Tc) Surface Mount TO-268
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	150A (Tc)

★注文金額が1,000米ドルを超える場合、DHL / FEDEX / UPSによる無料配送。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、変圧器、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

★配達時間は、DHL / UPS / FEDEX / TNTによる世界中のほとんどの国への2-4日を必要とします。

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