| 部品型番 | R8002ANX | メーカー | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 80442 pcs | データシート | R8002ANX.pdf |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 1mA | Vgs(最大) | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | TO-220FM |
| シリーズ | - | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 4.3 Ohm @ 1A, 10V |
| 電力消費(最大) | 35W (Tc) | パッケージング | Bulk |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack | 運転温度 | 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム | 17 Weeks | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 210pF @ 25V | ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 12.7nC @ 10V |
| FETタイプ | N-Channel | FET特長 | - |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | ソース電圧(VDSS)にドレイン | 800V |
| 詳細な説明 | N-Channel 800V 2A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FM | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2A (Tc) |
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