CSD85312Q3E

N/A

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製品の概要

In Stock 145908 pcs

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部品型番	CSD85312Q3E	メーカー	N/A
説明	MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	145908 pcs	データシート
同上@ VGS（TH）（最大）	1.4V @ 250µA	サプライヤデバイスパッケージ	8-VSON (3.3x3.3)
シリーズ	NexFET™	同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	12.4 mOhm @ 10A, 8V
電力 - 最大	2.5W	パッケージング	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース	8-PowerVDFN	他の名前	296-37187-2 CSD85312Q3E-ND
運転温度	-55°C ~ 150°C (TJ)	装着タイプ	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)	メーカーの標準リードタイム	35 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant	入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	2390pF @ 10V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	15.2nC @ 4.5V	FETタイプ	2 N-Channel (Dual) Common Source
FET特長	Logic Level Gate, 5V Drive	ソース電圧（VDSS）にドレイン	20V
詳細な説明	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 20V 39A 2.5W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)	電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	39A

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（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、変圧器、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

★配達時間は、DHL / UPS / FEDEX / TNTによる世界中のほとんどの国への2-4日を必要とします。

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