
| 部品型番 | CSD86336Q3D | メーカー | N/A |
|---|---|---|---|
| 説明 | 25V POWERBLOCK N CH MOSFET | フリーステータス/ RoHS状態 | リード線付き/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 79258 pcs | データシート | |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA | サプライヤデバイスパッケージ | 8-VSON (3.3x3.3) |
| シリーズ | NexFET™ | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 9.1 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V |
| 電力 - 最大 | 6W | パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| 運転温度 | -55°C ~ 125°C | 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | メーカーの標準リードタイム | 35 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Contains lead / RoHS Compliant | 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V | FETタイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET特長 | Logic Level Gate, 5V Drive | ソース電圧(VDSS)にドレイン | 25V |
| 詳細な説明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 25V 20A (Ta) 6W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3) | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 20A (Ta) |
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